IBM, 0.7나노 '나노스택' 트랜지스터 공개… 2나노 대비 성능 50%↑
IBM이 세계 최초로 1나노미터 미만인 0.7나노(7옹스트롬) 공정의 트랜지스터 기술을 만들었다고 더넥스트웹이 2026년 6월 25일 보도했습니다. 이 기술은 나노스택이라는 3차원 나노시트 트랜지스터 구조로, 손톱만 한 칩에 약 1천억 개의 트랜지스터를 담는다고 IBM은 밝혔습니다. 회사는 2021년 2나노 칩과 비교해 밀도는 약 2배, 성능은 최대 50%, 에너지 효율은 최대 70% 개선됐다고 설명했습니다. 이 글은 더넥스트웹 보도와 IBM 발표 수치를 기준으로 정리합니다.
무슨 일이 있었나
IBM은 VLSI 2026 학회에서 0.7나노(7옹스트롬) 공정에 해당하는 나노스택 트랜지스터를 연구 성과로 공개했습니다. 회사는 이를 업계 최초의 3차원 나노시트 기반 트랜지스터 구조라고 설명하며, 로직 미세화를 옹스트롬 단위 영역으로 확장한다고 밝혔습니다. IBM 리서치 디렉터 제이 감베타는 "더 작은 트랜지스터를 만드는 데 그치지 않고 칩을 만드는 방식 자체를 다시 설계하고 있다"고 말했습니다.
0.7나노는 무엇을 뜻하나
0.7나노라는 숫자는 물리적 치수가 아니라 공정 세대를 가리키는 이름표입니다. 실제 트랜지스터의 특정 부위가 0.7나노미터라는 의미가 아니라, 2나노 다음 세대를 지칭하는 업계 관행의 표기입니다. IBM은 이 세대에서 나노시트를 수직으로 쌓는 3차원 구조로 집적도를 끌어올렸다고 설명합니다. 칩 미세화가 평면 축소의 한계에 다다르면서 위로 쌓는 방향으로 옮겨가는 흐름을 보여줍니다.
수치로 본 개선폭
나노스택은 손톱 크기 칩에 약 1천억 개의 트랜지스터를 집적합니다. IBM은 2021년 발표한 2나노 칩과 비교해 밀도가 약 2배로 늘었다고 밝혔습니다. 성능은 최대 50% 높아지고 에너지 효율은 최대 70% 개선되며, 온칩 메모리인 SRAM도 40% 미세화됐다고 회사는 설명했습니다. 램리서치와 도쿄일렉트론, 스크린, ASML 등 핵심 장비 업체가 공정 개발에 참여했습니다.
무엇을 주의 깊게 볼 점
IBM이 제시한 수치는 연구 단계의 성과이며, 양산까지는 빨라도 약 5년이 걸릴 것으로 전망됩니다. 발표된 성능과 효율 개선폭은 IBM 측 자료를 기준으로 하며, 독립적인 양산 검증은 아직 이뤄지지 않았습니다. 연구실 시연이 대량 생산의 수율과 비용으로 이어질지는 장비 생태계와 공정 안정화에 달려 있습니다. 0.7나노라는 표기가 물리적 크기가 아니라 세대 명칭이라는 점도 함께 읽어야 합니다.
정리
IBM은 0.7나노 세대에 해당하는 3차원 나노시트 구조 나노스택을 공개하고, 2나노 대비 밀도 약 2배와 성능 최대 50%, 효율 최대 70% 개선을 제시했습니다. 손톱 크기 칩에 약 1천억 개 트랜지스터를 담는다는 연구 성과이지만 양산은 빨라도 5년 뒤로 전망됩니다. ASAP은 더넥스트웹 보도와 IBM 발표 수치를 기준으로 정리했으며 양산 검증은 추정하지 않았습니다.
참고: The Next Web
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